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[发明专利]具有岛状分布结构的半导体芯片及其制造方法-CN200610163133.6无效
发明人：大汤静宪;青木茂 -专利权人：尔必达存储器株式会社;株式会社日立制作所
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明目的是提供一种具有低破损风险的高可靠性的半导体芯片。具体而言，本发明提供一种具有半导体硅衬底的半导体芯片，该半导体硅衬底包含半导体器件层、多孔硅域层，在所述半导体硅衬底的一个表面上的主表面区内形成所述半导体器件层，在背面即该半导体硅衬底的另一表面上的主表面区内形成所述多孔硅域层，并且所述多孔硅域层具有在该半导体硅衬底的背面上以岛状分布的多孔硅域。
具有分布结构半导体芯片及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201010606570.7无效
发明人：简俊贤;刘汉诚;张香鈜;傅焕钧;郭子荧;蔡文力 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺。该半导体结构包括一半导体晶片、多个穿硅导孔以及一阻裂沟槽。半导体晶片具有一第一表面以及相对于第一表面的一第二表面。穿硅导孔埋入半导体晶片，并且连接第一表面以及第二表面。阻裂沟槽位于半导体晶片的第二表面的外围，且阻裂沟槽的深度小于或等于半导体晶片的厚度。所述半导体制作工艺首先提供一半导体晶片，其具有多个穿硅导孔。每一穿硅导孔的一第一端连接半导体晶片的第一表面。接着，在背对第一表面的半导体晶片的一背侧形成前述阻裂沟槽。然后，由背侧来薄化半导体晶片，以暴露出每一穿硅导孔的一第二端。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器-CN201810088768.7有效
发明人：赵长林;曾甜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体硅晶片的制备方法、半导体硅晶片及图像传感器。所述方法包括：提供一半导体硅晶片；在所述半导体硅晶片表面铺设一层光阻剂，对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹图案的光阻；以所述光阻为阻挡层，对所述半导体硅晶片进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成W型的浅沟槽；对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。利用本发明提供的方法增加了半导体硅晶片的表面积，增加了光吸收率，从而提升图像处理器光学性能。
半导体硅晶片图像传感器光阻剂浅沟槽光阻刻蚀制备表面形成波浪图案化工艺图像处理器表面形成光吸收率光学性能条纹图案硅晶片阻挡层侧壁预设相等平行铺设

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201210165854.6有效
发明人：陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成复合层，复合层包括：位于半导体衬底表面的单层或若干层重叠的牺牲层、以及位于各层牺牲层表面的半导体层，当牺牲层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时，半导体层的材料为硅或锗，或当半导体层的材料为掺杂碳的硅锗、掺杂硼的硅锗或掺杂碳和硼的硅锗时，牺牲层的材料为硅或锗；在复合层两侧的半导体衬底表面形成支撑部，支撑部的顶部不低于位于顶层的半导体层的表面；在形成支撑部后，刻蚀去除牺牲层；之后在半导体层表面形成栅极结构，在支撑部内形成源/漏区。
晶体管形成方法

[发明专利]抑制谐波效应半导体结构及形成抑制谐波效应结构的方法-CN201310270870.6有效
发明人：陈东郁;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种可抑制谐波效应的半导体结构及形成可抑制谐波效应的结构的方法。半导体结构包括半导体基板、装置、深沟槽、硅层及介电层。半导体基板包括半导体基板基底、埋入式介电层、表面半导体层及位于表面半导体层内的浅沟隔离层。装置设置于表面半导体层上。深沟槽邻近于装置并延伸通过浅沟隔离层及埋入式介电层而至半导体基板基底中。硅层设置于深沟槽下部中。硅层高度为与半导体基板基底顶表面高度相同或较低。介电层设于深沟槽中的硅层上。本发明形成可抑制谐波效应结构的方法，可于层间介电层形成前或后对半导体基板进行蚀刻，以形成如上述深沟槽，再于深沟槽中形成硅层。可利用硅层吸引住或攫获载流子或电荷，减缓寄生表面电荷，抑制谐波效应。
抑制谐波效应半导体结构形成方法

[发明专利]一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法-CN201110113880.X有效
发明人：宋崇申;于大全 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法，包括：从半导体衬底背面减薄该半导体衬底，使预先在该半导体衬底中制备的穿透硅通孔从该半导体衬底背面露出；化学机械抛光所述半导体衬底背面，使所述穿透硅通孔背部表面低于所述半导体衬底背部表面；在所述穿透硅通孔背部表面形成辅助金属层，所述辅助金属层与填充所述穿透硅通孔的主金属在穿透硅通孔背部表面形成金属叠层结构；刻蚀所述半导体衬底背面，使所述金属叠层结构凸出于所述半导体衬底背部表面，形成穿透硅通孔的背部连接端本发明利用化学机械抛光工艺的凹陷效应，以免掩模、低温制备的方式，在穿透硅通孔背部表面叠加辅助金属层，提高了使用穿透硅通孔实现多层微电子芯片堆叠集成的可实施性和成品率。
一种穿透硅通孔背部连接制备方法

[发明专利]半导体结构形成方法及半导体器件-CN201910198405.3在审
发明人：张志伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构形成方法及半导体器件。该方法包括：半导体衬底中形成硅穿孔，其中硅穿孔周围环绕第一介质层，第一介质层内部具有空气间隙，硅穿孔从半导体衬底的第一表面延伸至半导体衬底内部，半导体衬底具有与其第一表面相对设置的第二表面；研磨半导体衬底的第二表面以暴露出硅穿孔的背面且不暴露出第一介质层的底部；在半导体衬底的第二表面和硅穿孔的背面形成第一氧化层；对第一氧化层进行处理以暴露出硅穿孔的背面和对应于第一介质层的底部的半导体衬底的第二表面；在第一氧化层、硅穿孔的背面和对应于第一介质层的底部的半导体衬底的第二表面形成第二介质层；对第二介质层进行处理以暴露出硅穿孔的背面。
半导体结构形成方法半导体器件

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN202111143022.X在审
发明人：卜起经;叶顺闵 -专利权人：聚力成半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制作方法，包括下列步骤。在一硅衬底的一第一表面上形成一半导体结构。半导体结构具有一第一表面，其面对硅衬底。将至少一外部线路与半导体结构接合。形成一模塑料层覆盖硅衬底的一第二表面。移除模塑料层的一部分以暴露出硅衬底。移除硅衬底，以暴露出半导体结构的第一表面。
半导体装置制作方法

[发明专利]SGT MOS器件栅多晶硅结构的制作方法-CN202310423546.7在审
发明人：孙文镇;钱佳成;王雪纯;王艺晨;马栋 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种SGT MOS器件栅多晶硅结构的制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供半导体基底层；淀积多晶硅，使得多晶硅基于半导体基底层的上端形貌，覆盖位于半导体基底层上表面的氧化层上和深沟槽的内表面上，直至覆盖在第二沟槽内表面的多晶硅填充满第二沟槽形成多晶硅结构；刻蚀去除半导体基底层背面的多晶硅；对多晶硅结构进行化学机械研磨，研磨掉多晶硅结构的表层，直至剩余多晶硅结构的上表面光滑平坦，且剩余多晶硅结构填充满第二沟槽并覆盖位于半导体基底层上表面的氧化层上；对剩余多晶硅层进行湿法刻蚀，去除剩余多晶硅层中覆盖位于半导体基底层上表面氧化层上的多晶硅，在第二沟槽中形成栅多晶硅结构。
sgt mos 器件多晶结构制作方法

[发明专利]半导体元件、半导体装置及它们的制造方法-CN200710087841.0无效
发明人：宇都宫纯夫;石黑英人 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在半导体薄膜的制造方法中，将设置有排列于表面的多个突起部(10)的单晶半导体基板(单晶硅基板2)、与表面堆积有半导体薄膜的透光性基板(4)，使相互的表面相对进行结合。对半导体薄膜实施热处理，使半导体薄膜熔融晶体化，在透光性基板(4)上以多个突起部(10)的每一个为起点，形成由多个近似单晶粒(晶体硅16)构成的类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)。将包括类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)的透光性基板(4)与单晶半导体基板(单晶硅基板2)分离。由此，提供可获得在透明的绝缘基板上控制了结晶方位的类似单晶半导体薄膜的半导体膜、半导体元件、半导体装置及其制造方法。
半导体元件装置它们制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法、PMOS晶体管及其形成方法-CN201210149349.2有效
发明人：涂火金;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，以及一种PMOS晶体管及其形成方法，本发明所提供的半导体结构形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有凹槽；在所述凹槽表面形成硅锗层；还包括：在所述硅锗层表面形成硅锗锡层在本发明所提供的半导体结构形成方法中，由于所述硅锗层表面形成有硅锗锡层，而锡的晶格常数大于硅和锗的晶格常数，因此，所述硅锗锡层的可以提供较硅锗层和硅层更大的应力，从而提高半导体结构和PMOS管内的载流子迁移率
半导体结构及其形成方法 pmos 晶体管

[发明专利]具有瓶形硅穿孔的半导体元件结构及其制备方法-CN202111010904.9在审
发明人：施信益;黄则尧 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括：一硅层，设置在一第一半导体晶粒上；以及一第一遮罩层，设置在该硅层上。该半导体元件结构亦包括一第二半导体晶粒，设置在该第一遮罩层上；以及一硅穿孔，穿经该硅层与该第一遮罩层。该硅穿孔的一下表面大于该硅穿孔的一上表面，以及该硅穿孔的该上表面大于该硅穿孔的一剖面，该剖面位于该硅穿孔的该下表面与该上表面之间，且该剖面平行于该硅穿孔的该下表面与该上表面。
具有瓶形硅穿孔半导体元件结构及其制备方法

[发明专利]PMOS晶体管的形成方法-CN201110406861.6有效
发明人：邓浩;张彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种PMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内形成至少一层硅锗层，硅锗层的表面低于半导体衬底表面或与半导体衬底表面平齐；对硅锗层进行氧化处理，在硅锗层表面形成氧化层，以消耗硅锗层中的硅；去除硅锗层表面的氧化层。本发明实施例提供的PMOS晶体管的形成方法，提高了硅锗层中锗的浓度，提高了器件的性能。
pmos 晶体管形成方法

[发明专利]半导体元件结构及其制备方法-CN202211665084.1在审
发明人：杨圣辉 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法，该半导体元件结构包括设置于一第一半导体晶粒之上的一硅层，和设置于该硅层之上的一第一掩膜层。该半导体元件结构也包括设置于该第一掩膜层之上的一第二半导体晶粒，和穿过该硅层和该第一掩膜层的一硅穿孔。该硅穿孔的一底表面大于该硅穿孔的一顶表面，且该硅穿孔的该顶表面大于位于该硅穿孔的该顶表面和该底表面之间且平行于该顶表面和该底表面的一剖面。
半导体元件结构及其制备方法

[发明专利]在硅半导体表面制备有机分子线的方法-CN200510111834.0无效
发明人：戴郁菁;韦玮;黄维 -专利权人：复旦大学
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明属分子电子器件制备技术领域，具体为一种将有机分子嫁接到硅半导体表面以实现在硅半导体表面制备有机分子线的方法。本发明利用紫外光、等离子体手段对硅半导体表面进行处理，使硅表面产生可供进一步反应的活性点，这些活性点与有机分子上含有的活性官能团进行反应，在硅表面形成牢固的化学键，从而在硅半导体表面制备有机分子线。该方法可以适用于以硅半导体材料为基础的分子电子器件的制备。
半导体表面制备有机分子方法

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